Es para una replica de airsoft, uso un HEXFET por su baja resistencia interna, en formato TO-220 se usan dos en paralelos y aun así se funden mucho, quiero montarlos en una placa PCB muy pequeña y optimizada, necesito que estén saturados (creo recordar que es una resistencia de 100 Ohmios en el gate directo a la batería de 11.1v y una de 33k entre source y drain)
Me encantaría mucho hacer este proyecto ya que la electrónica me encanta y es muy barata (supongo que por los quebraderos de cabeza que da jajajaja)
Hay una empresa llamada GATE que se dedica ha hacer estos mosfets, pero el mas básico vale 20$ y me parece una exageración, pero os pongo un enlace de ejemplo por si os puedo aclarar las cosas así http://m.ebay.com/itm/GATE-Airsoft-NanoSSR-MOSFET-Unit-/252115885021?nav=SEARCH
En resumen me gustaría montar un circuito con IRF1404S sin usar disipador y que pueda aguantar 200 vatios de pico máximo durante 2 segundos. He pensado ponerle 4, pero me pregunto si me serviría una resistencia para todos (la de 100 ohmios se que si) o una de 33k para cada uno. Y si veis que podéis optimizar mas el circuito cambiando valores de resistencia decidmelo por favor. Los valores de la batería son 11.1v a 18 amperios máximos (los fusibles suelen ser de 20a) en el momento de torsión mas alto.
Por ultimo decir que odio que me den las cosas masticadas y sin saber como funciona... En internet hay muchísimos tutoriales de como hacer un MOSFET con freno activo para airsoft con un IRF1404 en formato TO-220, pero estoy seguro de que nadie tiene ni idea de lo que pasa dentro del MOSFET cuando gate da la señal, simplemente saben que funcionan y así se quedan. Repito, tengo 16 años y quiero estudiar ingeniería electrónica, tengo unos conocimientos bastante generales y amplios (en mi opinión) sobre la electrónica digital, y dentro de poco quiero empezar con los PICs jajaja.
Gracias de antemano.